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时间:2023-07-20 14:07:16
瞬态二极管(Transient Voltage Suppressor),简称TVS,是一种效能高的保护器件,采用二极管形式。
当TVS二极管的两极遭受反向瞬态高能量冲击时,它能在10的负12次方秒级别的速度下,将其两极间的高阻抗转变为低阻抗,并吸收高达数千瓦的浪涌功率,将两极间的电压箝位于一个预定值,有效地保护电子线路中的精密元器件,避免受到各种浪涌脉冲的损坏。
静电放电(ESD,Electro-Static Discharge)是指当具有不同静电电位的物体互相靠近或直接接触时引起电荷转移。
ESD是自20世纪中期以来形成的一门学科,研究静电的产生、危害以及静电防护等内容。因此,国际上通常将用于静电防护的器材统称为ESD。
TVS瞬态电压抑制器用于处理各种引起电压突变的情况,例如直接或间接的雷击、静电放电以及大容量负载的切换等因素。
ESD静电放电保护主要包含三种模型,其中最常用的是人体模型(HBM)和机器模型(MM)。简单来说,HBM模型指的是人体或设备对器件进行放电,而不能对器件造成损害。
典型的HBM Class 1C模型规定使用一个充电1000V-2000V的100pF电容通过一个1500欧姆电阻对器件进行放电。MM模型的放电能量比人体模型大一些,电容为200pF,电压在200-400之间,并且不包含串联电阻。
TVS和ESD主要用于不同的应用场景。ESD主要用于防静电,要求电容值较低,一般为1-3.5pF。而TVS无法满足这一要求,其电容值较高。
通过对它们分别进行符合IEC61000-4-2标准的+/-8KV接触放电测试,并分析捕获的IEC波形,可以得出结论:TVS的保护性能比贴片压敏电阻强得多。
贴片压敏电阻采用物理吸收原理,每次经历ESD事件,材料都会遭受一定物理损伤,形成永久性的漏电通道。而TVS采用半导体钳位原理,在经历ESD事件时,瞬间将能量传递出去,对器件本身没有影响。
TVS通常用于层级和次级保护,而ESD主要用于板级保护。
选择TVS通常基于器件的功率和封装形式,而选择ESD器件则主要考虑其ESD等级(HBM/MM)和符合IEC61000-4-2标准的等级。对于高速USB和I/O接口,容值也是重要考量因素。
以上是有关TVS和ESD的简要介绍和比较。
▲电气特性 Electrical Characteristics
料号 Part Number |
方向类型 Direction Type |
封装尺寸 Package Size |
操作温度 Operating Temperature |
启动电压 Reverse Stand-Off Voltage |
反向崩 溃电流 Reverse Breakdown Voltage |
漏电流 Reverse Leakage Current |
容值 Capacitance (at VR=0V, f=1MHz) |
最大 脉冲电流 Maximum Peak Pulse Current tp=8/20us |
标识 Marking |
Tj |
VRWM |
VBR |
lR |
Cj |
Ipp |
||||
ESDQR3V3B |
B |
DFN1006-2 |
-55℃~125℃ |
3.3V |
4.5V |
5nA |
25pF |
20A |
E2 |
ESDQR5V0B |
B |
DFN1006-2 |
-55℃~125℃ |
5V |
6V |
5nA |
10pF |
5A |
E5 |
ESDQR5V0BJ |
B |
DFN1006-2 |
-55℃~125℃ |
5V |
6V |
5nA |
0.3pF |
2A |
S |
ESDQR5V0U |
U |
DFN1006-2 |
-55℃~125℃ |
5V |
6V |
5nA |
45pF |
10A |
5U |
ESDQR5V0UJ |
∪ |
DFN1006-2 |
-55℃~125℃ |
5V |
6V |
5nA |
0.3pF |
3A |
U5 |
ESDQR12V0U |
U |
DFN1006-2 |
-55℃~125℃ |
12V |
13.3V |
5nA |
45pF |
5A |
E2 |
ESDQR3V3BS |
B |
DFN1006-2 |
-55℃~125℃ |
3.3V |
4V |
5nA |
8pF |
5A |
E3 |
ESDQR5V0BS |
B |
DFN1006-2 |
-55℃~125℃ |
5V |
5.6V |
5nA |
3pF |
5A |
M |
ESDQR5V0BX |
B |
DFN1006-2 |
-55℃~125℃ |
5V |
6V |
5nA |
0.19pF |
3.5A |
R |
ESDQR24V0B |
B |
DFN1006-2 |
-55℃~125℃ |
24V |
26.5V |
5nA |
9.8pF |
3A |
E4 |
ESDQR24V0U |
∪ |
DFN1006-2 |
-55℃~125℃ |
24V |
26.5V |
5nA |
25.7pF |
3A |
E4 |
ESDQR36V0U |
∪ |
DFN1006-2 |
-55℃~125℃ |
36V |
40V |
100nA |
20PF |
1.5A |
E6 |
ESDQR36V0B |
B |
DFN1006-2 |
-55℃~125℃ |
36V |
40V |
100nA |
10PF |
1.5A |
E6 |
ESDKR5V0BS |
B |
DFN0603-2 |
-55℃~125℃ |
5V |
5.6V |
5nA |
3pF |
4A |
l |
ESDKR5V0B |
B |
DFN0603-2 |
-55℃~125℃ |
5V |
5.6V |
5nA |
10pF |
5A |
H |
ESDKR5V0BX |
B |
DFN0603-2 |
-55℃~125℃ |
5V |
6.0V |
10nA |
0.30PF |
1.8A |
2 |
ESDKR5V0UJ |
∪ |
DFN0603-2 |
-55℃~125℃ |
5V |
5.6V |
5nA |
0.45pF |
2A |
2 |
RESDMRA3V3J |
Array |
DFN251010 |
-55℃~150℃ |
3.3V |
3.4V |
100nA |
0.65PF |
4A |
,J33 |
RESMRA5V0J |
Array |
DFN251010 |
-55℃~150℃ |
5V |
6.0V |
5nA |
0.80pF |
5A |
.P524 |
RESMRA5VOX |
Array |
DFN251010 |
-55℃~150℃ |
5V |
6.0V |
5nA |
0.30pF |
5A |
.P424 |
▲询问方式(例如0402抗静电二级管双向5V 电容小于1pF)
料号 (Part Number): ESDQR5V0BJ
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